К вопросу об определении порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков в кристаллическом Si 3 N 4

2022

Full text Open access: Gold Metadata (CSL-JSON)
DOI 10.32523/2616-6836-2019-129-4-8-14
Data confidence 70 medium
How this score is calculated

It is built from checkable properties of the record itself: whether the article has a DOI, how many independent sources confirmed its data, whether the required fields are filled in, and how recent the latest confirmation is. Disagreement between sources and a missing identifier lower it. A value of 80 or above means the record was published without further checking; 60 to 79 means it is published at reduced confidence, with a manual check advisable. A record verified by an editor by hand is never pushed below 90 by a recalculation. This scores our data about the article, not the article itself.

Abstract

Настоящая работа посвящена определению порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков Set в поликристаллическом нитриде кремния на основе анализа данных по радиационно-стимулированной аморфизации материала. ОбразцыSi 3 N 4 (Al) были облучены ионами Xe с энергиями 167 МэВ и 220 МэВ высокой плотности (6 × 10 14 и 2 × 10 14 см −2 соответственно). На основе ПЭМ анализа структуры этих образцов в геометрии поперечного сечения определена нижняя граница Set на уровне ˜ 6,7 кэВ/нм.