К вопросу об определении порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков в кристаллическом Si 3 N 4

Aytkul Ibraeva, A. Janse van Vuuren, В. О. Скуратов, М Здоровец

2022

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Gold Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.32523/2616-6836-2019-129-4-8-14
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Настоящая работа посвящена определению порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков Set в поликристаллическом нитриде кремния на основе анализа данных по радиационно-стимулированной аморфизации материала. ОбразцыSi 3 N 4 (Al) были облучены ионами Xe с энергиями 167 МэВ и 220 МэВ высокой плотности (6 × 10 14 и 2 × 10 14 см −2 соответственно). На основе ПЭМ анализа структуры этих образцов в геометрии поперечного сечения определена нижняя граница Set на уровне ˜ 6,7 кэВ/нм.