К вопросу об определении порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков в кристаллическом Si 3 N 4

2022

Полный текст Открытый доступ: Gold Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.32523/2616-6836-2019-129-4-8-14
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Настоящая работа посвящена определению порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков Set в поликристаллическом нитриде кремния на основе анализа данных по радиационно-стимулированной аморфизации материала. ОбразцыSi 3 N 4 (Al) были облучены ионами Xe с энергиями 167 МэВ и 220 МэВ высокой плотности (6 × 10 14 и 2 × 10 14 см −2 соответственно). На основе ПЭМ анализа структуры этих образцов в геометрии поперечного сечения определена нижняя граница Set на уровне ˜ 6,7 кэВ/нм.