Abstract
Жұмыста сыртқы магнит өрісінде орналасқан екі электронды кванттық жүйедегі қарпу потенциалының қалыптасу механизмі талданады. Мұндай жүйенің қарапайым өкілі екі электронды кванттық нүкте болып табылады. Құрамында жартылай өткізгіш кванттық нүктелері бар гетероқұрылымдар қазіргі заманғы опто- және наноэлектроникада перспективалық материал болып табылады, осыған байланысты соңғы жылдары олардың қасиеттеріне қарқынды зерттеу жүргізілуде. Әртүрлі жартылай өткізгіштердің мөлшерін азайту үрдісі элементтер кванттық нүктелерді мүмкіндігінше аз мөлшерде алу және зерттеу қажеттілігін талап етеді, мысалы, бірнеше нанометрде. Кванттық нүктенің қалыптасу механизмін сипаттауда кванттық-механикалық әсерлер негізгі рөл атқарғандықтан жұмыс Осцилляторда өрнектеу әдісіне негізделген. Кванттық нүкте жағдайы үшін параметрлердің нақты мәндерінде алынған тәуелділік графиктерінен екі электрондық кванттық жүйедегі қарпу потенциалы электростатикалық өрістегі электрондардың өзара әсерлесуінен анықталатыны байқалды. Жүргізілген талдау жұмыстары кванттық нүктенің қасиеттерін басқаруға мүмкіндік береді. Мұндай құрылым болашақ жоғарғы технологиялар базасы үшін негіз ретінде қолданыла алады.