Inversion of the impurity conductivity sign in As2Se3:Bi films deposited by two different methods

2012

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1134/s1063782612100028
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

It is demonstrated that As2Se3:Bi x films deposited by thermal evaporation have p-type impurity conductivity, whereas films of the same composition, produced by ion-plasma cosputtering in vacuum exhibit n-type impurity conductivity. On the basis of these results, a new method is suggested for the fabrication of p-n homojunctions in film structures made of chalcogenide glassy semiconductors doped with bismuth in various ways.