Crystallization of β-SiC in thin SiC x layers (x = 0.03−1.40) synthesized by multiple implantation of carbon ions into silicon

Н. Б. Бейсенханов

2011

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1134/s1063784211020058
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

The composition and structure of homogeneous SiC 1.4 , SiC 0.95 , SiC 0.7 , SiC 0.4 , SiC 0.12 , and SiC 0.03 layers obtained by multiple high-dose implantation of carbon ions with energies of 40, 20, 10, 5, and 3 keV into silicon are analyzed using Auger electron spectroscopy, X-ray diffraction, IR spectroscopy, and atomic force microscopy. The effect of decomposition of carbon and carbon-silicon clusters on the formation of Si-C tetrahedral bonds and on crystallization in silicon layers with high and low concentrations of carbon is considered.