Crystallization of β-SiC in thin SiC x layers (x = 0.03−1.40) synthesized by multiple implantation of carbon ions into silicon

Н. Б. Бейсенханов

2011

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1134/s1063784211020058
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

The composition and structure of homogeneous SiC 1.4 , SiC 0.95 , SiC 0.7 , SiC 0.4 , SiC 0.12 , and SiC 0.03 layers obtained by multiple high-dose implantation of carbon ions with energies of 40, 20, 10, 5, and 3 keV into silicon are analyzed using Auger electron spectroscopy, X-ray diffraction, IR spectroscopy, and atomic force microscopy. The effect of decomposition of carbon and carbon-silicon clusters on the formation of Si-C tetrahedral bonds and on crystallization in silicon layers with high and low concentrations of carbon is considered.