Observation of low-temperature diffusion of aluminum impurity atoms in hydrogen-implanted silicon

Yu.V. Gorelkinskii, Bulat N. Mukashev, Khabibulla A. Abdullin

1998

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1134/1.1187399
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Single-crystal samples of aluminum-doped silicon implanted with hydrogen at ∼80 K were examined by electron spin resonance (ESR). Two new ESR spectra labeled Si-AA15 and Si-AA16 were observed. The hyperfine structure of the spectra unambiguously reveals that two aluminum atoms and one aluminum atom are incorporated in the AA15 and AA16 defects, respectively. Observation of Al-Al pairs (the AA15 defect) is evidence in favor of long-range migration of aluminum atoms. The migration occurring in the experiment at T ⩽200 K cannot be normal or recombination-enhanced (injection-enhanced) diffusion. Tentative models including Al-Al interstitial pairs as well as a hydrogen-enhanced migration mechanism are discussed.