Observation of low-temperature diffusion of aluminum impurity atoms in hydrogen-implanted silicon

Yu.V. Gorelkinskii, Bulat N. Mukashev, Khabibulla A. Abdullin

1998

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1134/1.1187399
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Single-crystal samples of aluminum-doped silicon implanted with hydrogen at ∼80 K were examined by electron spin resonance (ESR). Two new ESR spectra labeled Si-AA15 and Si-AA16 were observed. The hyperfine structure of the spectra unambiguously reveals that two aluminum atoms and one aluminum atom are incorporated in the AA15 and AA16 defects, respectively. Observation of Al-Al pairs (the AA15 defect) is evidence in favor of long-range migration of aluminum atoms. The migration occurring in the experiment at T ⩽200 K cannot be normal or recombination-enhanced (injection-enhanced) diffusion. Tentative models including Al-Al interstitial pairs as well as a hydrogen-enhanced migration mechanism are discussed.