Studies of radiation defects in hydrogen implanted silicon by deep level transient spectroscopy

Bulat N. Mukashev, N. Fukuoka, Haruo Saito

1982

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1080/00337578208229928
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Defect levels produced in p-type silicon by 30 MeV ion implantation and their isochronal annealing behavior were studied by DLTS. Three hole traps located at Ev + 0.18 eV, Ev + 0.28 eV and Ev + 0.33 eV were introduced at the track end of ions. From comparison with other published data we attribute these levels to single positively charged divacancy (Ev + 0.18 eV), to Si-B3 (⟨100⟩ split-interstitial Ev + 0.28 eV), and to Si-A14 (divacancy-oxygen complex Ev + 0.33 eV). It was found that the introduction rate of observed defects shows a peak at the fluence of 5 × 1013 implanted ions and then decreases at higher fluence.