Studies of radiation defects in hydrogen implanted silicon by deep level transient spectroscopy

Bulat N. Mukashev, N. Fukuoka, Haruo Saito

1982

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)

DOI 10.1080/00337578208229928

Деректер сенімділігі 70 орташа

Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Defect levels produced in p-type silicon by 30 MeV ion implantation and their isochronal annealing behavior were studied by DLTS. Three hole traps located at Ev + 0.18 eV, Ev + 0.28 eV and Ev + 0.33 eV were introduced at the track end of ions. From comparison with other published data we attribute these levels to single positively charged divacancy (Ev + 0.18 eV), to Si-B3 (⟨100⟩ split-interstitial Ev + 0.28 eV), and to Si-A14 (divacancy-oxygen complex Ev + 0.33 eV). It was found that the introduction rate of observed defects shows a peak at the fluence of 5 × 1013 implanted ions and then decreases at higher fluence.