Range distribution characteristics of H+ and He++ ions with energies (5 to 2) × 103 keV implanted into silicon

1981

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1002/pssa.2210680109
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Detailed results of Monte-Carlo calculations on the depth distributions of H+ and He++ ions with energies (5 to 2) × 103 keV implanted in silicon are presented. The energy dependences of mean projected and total ranges, standart deviations and skewnesses are given among them. The Pearson's approximation of the calculated distributions is discussed.