Range distribution characteristics of H+ and He++ ions with energies (5 to 2) × 103 keV implanted into silicon

1981

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1002/pssa.2210680109
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Detailed results of Monte-Carlo calculations on the depth distributions of H+ and He++ ions with energies (5 to 2) × 103 keV implanted in silicon are presented. The energy dependences of mean projected and total ranges, standart deviations and skewnesses are given among them. The Pearson's approximation of the calculated distributions is discussed.