Study of primary and secondary radiation defects formation and annealing inp-type silicon

Bulat N. Mukashev, L.G. Kolodin, K.H. Nussupov, A. V. Spitsyn, Victor S. Vavilov

1980

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1080/00337578008209154
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

The creation and annealing of defects introduced at 78 and 280 K by 2 MeV electron irradiation of p-type silicon doped either by boron or by aluminium have been studied by using Hall effect, conductively and minority carrier diffusion length measurements. As following from analysis of kinetics of defect annealing and its correlation with published EPR spectra, IR absorbtion band and capacitance measurements, the mechanism of defect annealing and origin of some electronic levels have been discussed.