Study of primary and secondary radiation defects formation and annealing inp-type silicon

Bulat N. Mukashev, L.G. Kolodin, K.H. Nussupov, A. V. Spitsyn, Victor S. Vavilov

1980

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1080/00337578008209154
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

The creation and annealing of defects introduced at 78 and 280 K by 2 MeV electron irradiation of p-type silicon doped either by boron or by aluminium have been studied by using Hall effect, conductively and minority carrier diffusion length measurements. As following from analysis of kinetics of defect annealing and its correlation with published EPR spectra, IR absorbtion band and capacitance measurements, the mechanism of defect annealing and origin of some electronic levels have been discussed.