Passivating Oxide Layers on the Surface of InP

2024

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1109/elnano63394.2024.10756920
Достоверность данных 85 высокая
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

This study investigates the formation and characteristics of intrinsic oxide layers on the surface of n-type indium phosphide (InP), formed via electrochemical processing in a sulfuric acid environment. We have explored the oxide film's structure, chemical composition, and electronic properties using various analytical methods. The results indicate the formation of composite oxides with crackled morphologies and their impact on surface passivation. Our findings affirm the potential of InP native oxides for protective coatings yet highlight the need for further optimization to improve the uniformity and reduce the defectiveness of passivation layers.