Passivating Oxide Layers on the Surface of InP

2024

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1109/elnano63394.2024.10756920
Деректер сенімділігі 85 жоғары
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

This study investigates the formation and characteristics of intrinsic oxide layers on the surface of n-type indium phosphide (InP), formed via electrochemical processing in a sulfuric acid environment. We have explored the oxide film's structure, chemical composition, and electronic properties using various analytical methods. The results indicate the formation of composite oxides with crackled morphologies and their impact on surface passivation. Our findings affirm the potential of InP native oxides for protective coatings yet highlight the need for further optimization to improve the uniformity and reduce the defectiveness of passivation layers.