Hydrogen-induced formation of defects nanoclusters in crystalline silicon

2001

Полный текст Открытый доступ: Hybrid Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1016/s0921-4526(01)00686-x
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Low-temperature hydrogen-assisted clusterization of aluminum impurity in silicon has been studied. It was found that hydrogen can decrease the diffusion barrier of the Al atom and initiate the migration of Al atoms at 180–200 K. As a result, an interstitial aluminum pair formation takes place in H-implanted silicon. The implantation with a dose ⩾1×1016/cm2 causes formation of the clusters containing more than two aluminum atoms.