Барлық параметрлер сіздің құрылғыңызда сақталады.
2001
Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.
Low-temperature hydrogen-assisted clusterization of aluminum impurity in silicon has been studied. It was found that hydrogen can decrease the diffusion barrier of the Al atom and initiate the migration of Al atoms at 180–200 K. As a result, an interstitial aluminum pair formation takes place in H-implanted silicon. The implantation with a dose ⩾1×1016/cm2 causes formation of the clusters containing more than two aluminum atoms.