Molecular ion implantation into silicon

Bulat N. Mukashev, V.V. Smirnov, Sigfried Kalbitzer, M. Weiser, Rainer Börret, M. Behar

1990

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1080/10420159008213078
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

The effect of molecular and atomic ion implantation into Si has been compared with respect to range and damage distribution and also, in case of dopant ions, the resulting electrical behavior after annealing treatments. The results obtained for implants of B+, F+ and BF2 − and N+ and N2 + in c-Si show that channeling effects are supporessed and electrical activity is enhanced when the molecular species is used. For a-Si:H implants with BF2 + a markedly higher conductivity is observed after annealing at 250°C than with B−, presumably due to chemical side effects by F.