Molecular ion implantation into silicon

Bulat N. Mukashev, V.V. Smirnov, Sigfried Kalbitzer, M. Weiser, Rainer Börret, M. Behar

1990

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)

DOI 10.1080/10420159008213078

Деректер сенімділігі 70 орташа

Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

The effect of molecular and atomic ion implantation into Si has been compared with respect to range and damage distribution and also, in case of dopant ions, the resulting electrical behavior after annealing treatments. The results obtained for implants of B+, F+ and BF2 − and N+ and N2 + in c-Si show that channeling effects are supporessed and electrical activity is enhanced when the molecular species is used. For a-Si:H implants with BF2 + a markedly higher conductivity is observed after annealing at 250°C than with B−, presumably due to chemical side effects by F.