Simulation of Electrical Characteristics of Switching Nanostructures "Pt – TiO – Pt" and "Pt – NiO – Pt" with Memory

2019

Полный текст Открытый доступ: Gold Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.13164/re.2019.0714
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

The nanostructures "Pt -TiO -Pt" and "Pt -NiO -Pt" with weak switching properties and memory were studied within the framework of semi-empirical Hückel method.The calculation was implemented in the program Atomistix ToolKit with Virtual NanoLab.The transmission spectra, current-voltage characteristics and differential conductivity of nanostructures are calculated.It was revealed that in the range of voltages -1.3 V÷1.3 V, a hysteresis appears in the form of eight shaped figure on the current-voltage characteristic of Pt -TiO -Pt nanostructure, and in Pt -NiO -Pt nanostructure, the hysteresis appears in the voltage intervals -1.8 V÷0.8 V and 0.9 V÷1.8 V in the form of two oval-shaped figures connected to a segment.The manifestation of the hysteresis characteristic of these nanocontacts shows that they have memory.It was found that a negative differential resistance is observed in the voltage range, where the hysteresis of the current-voltage characteristic is appeared.It is shown that the investigating nanostructures have weak switching properties.The results of the paper can be useful for the calculation of memristic elements of nanoelectronics.