Simulation of Electrical Characteristics of Switching Nanostructures "Pt – TiO – Pt" and "Pt – NiO – Pt" with Memory

2019

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Gold Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.13164/re.2019.0714
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

The nanostructures "Pt -TiO -Pt" and "Pt -NiO -Pt" with weak switching properties and memory were studied within the framework of semi-empirical Hückel method.The calculation was implemented in the program Atomistix ToolKit with Virtual NanoLab.The transmission spectra, current-voltage characteristics and differential conductivity of nanostructures are calculated.It was revealed that in the range of voltages -1.3 V÷1.3 V, a hysteresis appears in the form of eight shaped figure on the current-voltage characteristic of Pt -TiO -Pt nanostructure, and in Pt -NiO -Pt nanostructure, the hysteresis appears in the voltage intervals -1.8 V÷0.8 V and 0.9 V÷1.8 V in the form of two oval-shaped figures connected to a segment.The manifestation of the hysteresis characteristic of these nanocontacts shows that they have memory.It was found that a negative differential resistance is observed in the voltage range, where the hysteresis of the current-voltage characteristic is appeared.It is shown that the investigating nanostructures have weak switching properties.The results of the paper can be useful for the calculation of memristic elements of nanoelectronics.