Structural Features of Porous-GaAs and its Potential in Heterostructural Buffer Layers

2023

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1109/elit61488.2023.10311022
Достоверность данных 85 высокая
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

This study investigates porous gallium arsenide's structural and morphological properties. Based on EDX analysis data, it is established that Ga and As dominate the material composition, indicating its consistency with gallium arsenide, while there is a limited presence of oxygen. SEM analysis revealed a uniform distribution of pores on the surface, forming intricate tracks and chains. Although por-GaAs possess a porous structure, their crystalline properties, as demonstrated through XRD-spectroscopy, remain preserved and are similar to monocrystalline GaA$s$. The spectroscopic analysis detected vibrational processes characteristic of GaA$s$and features associated with the porosity and structure of por-GaAs.