Structural Features of Porous-GaAs and its Potential in Heterostructural Buffer Layers

2023

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1109/elit61488.2023.10311022
Деректер сенімділігі 85 жоғары
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

This study investigates porous gallium arsenide's structural and morphological properties. Based on EDX analysis data, it is established that Ga and As dominate the material composition, indicating its consistency with gallium arsenide, while there is a limited presence of oxygen. SEM analysis revealed a uniform distribution of pores on the surface, forming intricate tracks and chains. Although por-GaAs possess a porous structure, their crystalline properties, as demonstrated through XRD-spectroscopy, remain preserved and are similar to monocrystalline GaA$s$. The spectroscopic analysis detected vibrational processes characteristic of GaA$s$and features associated with the porosity and structure of por-GaAs.