Structural transformation of Si-rich SiNxfilm on Si via swift heavy ions irradiation

Danatbek Murzalinov, Abdirash T. Akilbekov, Alma K. Dauletbekova, Liudmila A. Vlasukova, Maksim Makhavikov, Maxim Vladimirovich Zdorovets

2018

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1088/2053-1591/aab2f3
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

The effects of 200 MeV-Xe + irradiation with fluencies of (10 9 –10 14 ) cm −2 on the phase-structural transformation of Si-rich SiN x film deposited on Si substrate by low-pressure chemical vapor deposition have been reported. It has been shown from Raman scattering data that the swift heavy ions irradiation results in the dissolution of amorphous Si nanoclusters in nitride matrix. It has been shown, too, that the swift heavy ion irradiation leads to quenching a visual photoluminescence from nitride films.