Structural transformation of Si-rich SiNxfilm on Si via swift heavy ions irradiation

Danatbek Murzalinov, Abdirash T. Akilbekov, Alma K. Dauletbekova, Liudmila A. Vlasukova, Maksim Makhavikov, Maxim Vladimirovich Zdorovets

2018

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1088/2053-1591/aab2f3
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

The effects of 200 MeV-Xe + irradiation with fluencies of (10 9 –10 14 ) cm −2 on the phase-structural transformation of Si-rich SiN x film deposited on Si substrate by low-pressure chemical vapor deposition have been reported. It has been shown from Raman scattering data that the swift heavy ions irradiation results in the dissolution of amorphous Si nanoclusters in nitride matrix. It has been shown, too, that the swift heavy ion irradiation leads to quenching a visual photoluminescence from nitride films.