GA Assisted ANN based GaN HEMT Model Development and Demonstration of its CAD Incorporation for Class-F Power Amplifier

Saddam Husain, Galymzhan Nauryzbayev, Mohammad Hashmi

2023

DOI 10.1109/edtm55494.2023.10102998

Достоверность данных 70 средняя

Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs) are quintessential prospect for the design of state-of-the-art power amplifiers (PAs). Within this context, this paper systematically investigates and realizes an integration of genetic algorithm aided artificial neural network based small-signal model into a computer-aided design (CAD) tool to elucidate the small-signal behaviour of a GaN HEMT employed class-F PA. Thereafter, an examination of amplifiers' stability and gain are expressed for the entire frequency of operation.