GA Assisted ANN based GaN HEMT Model Development and Demonstration of its CAD Incorporation for Class-F Power Amplifier

Saddam Husain, Galymzhan Nauryzbayev, Mohammad Hashmi

2023

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)

DOI 10.1109/edtm55494.2023.10102998

Деректер сенімділігі 70 орташа

Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs) are quintessential prospect for the design of state-of-the-art power amplifiers (PAs). Within this context, this paper systematically investigates and realizes an integration of genetic algorithm aided artificial neural network based small-signal model into a computer-aided design (CAD) tool to elucidate the small-signal behaviour of a GaN HEMT employed class-F PA. Thereafter, an examination of amplifiers' stability and gain are expressed for the entire frequency of operation.