The Role of the Crystal Plane Irradiated by Swift Heavy Ions in the Formation of Defects in MgAl2O4 Crystals

Crystals, 2025

Полный текст Открытый доступ: Gold Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.3390/cryst15121020
Достоверность данных 85 высокая
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Model experiments were performed on the interaction of swift heavy 220 MeV Xe ions with MgAl2O4 spinel crystal with (100), (110), and (111) planes. A computational analysis of the energy parameters of Xe ions in MgAl2O4 single crystal was performed, and an estimate of the ion range in the near-surface layer (14 μm) was provided. Optical absorption spectrum was analyzed using polarized light and EPR spectroscopy of initial and irradiated crystals. It has been established that at a fluence of 1013 cm−2 in a sample with an orientation plane (110), 35% more optically active F-type centers are formed. It has been shown that optically active centers V|Al–O− are observed in an unusual, polarized beam.