The Role of the Crystal Plane Irradiated by Swift Heavy Ions in the Formation of Defects in MgAl2O4 Crystals

Crystals, 2025

Толық мәтін Ашық қол жеткізу: Gold Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.3390/cryst15121020
Деректер сенімділігі 85 жоғары
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Model experiments were performed on the interaction of swift heavy 220 MeV Xe ions with MgAl2O4 spinel crystal with (100), (110), and (111) planes. A computational analysis of the energy parameters of Xe ions in MgAl2O4 single crystal was performed, and an estimate of the ion range in the near-surface layer (14 μm) was provided. Optical absorption spectrum was analyzed using polarized light and EPR spectroscopy of initial and irradiated crystals. It has been established that at a fluence of 1013 cm−2 in a sample with an orientation plane (110), 35% more optically active F-type centers are formed. It has been shown that optically active centers V|Al–O− are observed in an unusual, polarized beam.