Abstract
В статье представлены результаты характеризации тонких пленок на основе CuBi2O4 полученных с применением метода электрохимического осаждения при вариации разности прикладываемых потенциалов. Выбор метода электрохимического осаждения для получения тонкопленочных покрытий, обусловлен возможностями получения пленок на практически любых поверхностях, имеющих различную морфологию и геометрию, а также возможностями масштабирования в случае необходимости нанесения покрытий на большие площади. Согласно полученных данным рентгеновской дифракции было установлено, использование выбранных растворов для осаждения, позволяет получать высокоупорядоченные кристаллические пленки CuBi2O4 с тетрагональной фазой. При этом вариация разности прикладываемых потенциалов не приводит к формированию примесных фаз или значительных структурных изменений, связанных с переориентаций или процессами рекристаллизации. В ходе проведенных исследований установлено, что вариация условий синтеза приводит к упрочнению покрытий, связанному изменением морфологических особенностей, а также плотности формируемых покрытий. Анализ экранирующих характеристик показал, что использование тонких CuBi2O4 покрытий, толщиной 1.5 – 1.6 мкм позволяет снизить эффективность рентгеновского излучения в 2.5 – 3 раза. При этом в случае CuBi2O4 покрытий, полученных при разности потенциалов 3.5 В эффективность снижения интенсивности рентгеновского излучения составляет более 80 % от начального значения.