Abstract
В работе исследовалась влияние облучения быстрыми тяжелыми ионами на фотолюминесценцию (ФЛ) кристаллов MgAl2O4 шпинели. Шпинель облучалась ионами 710 МэВ Bi до флюенса (1010–1013) см-2. ФЛ измерялась в стандартной и конфокальной геометрии, то есть с поверхности, а также вдоль ионного пути. При возбуждении светом λex=445нм наблюдалась ФЛ (450–750) нм или (1.6–2.76) эВ. С увеличением флюенса наблюдалось увеличение интенсивности свечения и сдвиг максимума в красную область спектра. Установлено, что полоса ФЛ является сложной и включает в себя свечение примесных ионов: Cr3+ и Mn2+ с максимумами 1.8 эВ и 2.25 эВ. ФЛ, измеренная вдоль ионного пути для образца облученного до флюенс 1012 ион/см2 показала резкий всплеск в конце ионного пути, что обусловлено локальной разупорядоченностью структуры вследствие формирования ионного трека. Наблюдаемая ФЛ крайне чувствительна к структурным нарушениям, и можно предположить, что она связана со свечением агрегатных электронных центров окраски, как например Fe22+ в Al2O3 c максимумом 2.2 эВ , которые обычно формируются при высоких флюенсах при перекрывании треков. Всплеск люминесценции 1.9 эВ в конце ионного пути может быть связана с созданием вакансий.