Abstract
В работе представлены исследования влиянию радиационных повреждений, влияющих на радиационную стойкость поликристаллической керамики нитрида кремния, облученного ионами ксенона с энергиями 167 и 220 МэВ. Показано формирование латентных треков и формирование остаточных механических напряжений в облученном слое. Облученные образцы изучались методами рамановской спектроскопии на лазерном конфокальном сканирующем микроскопе Solver Specrtum, NT-MDT, а также проводилась микроструктурный анализ на микроскопах JEOL JEM 2100 LaB6 Центра высокоразрешающей электронной микроскопии университета им. Н. Манделы, Порт Элизабет, ЮАР. Расчеты по потери энергии на ионизацию и упругое рассеяние, а также проективных пробегов ионов проводился с использованием программного пакета SRIM-2013. Удельные потери энергии на ионизацию в приповерхностном слое мишени (Si3N4) составило Se =20,8 кэВ/нм (облученных ионами 132Xe 167 МэВ флюенс 1×1012÷1,2×1015см-2), Se =21,9 кэВ/нм (облученных ионами 132Xe 220 МэВ флюенс 5×1011÷2×1014 см-2).