Abstract
Қорғасынцирконат титанаты (PZT) негізіндегі электро-оптикалық (EO) модуляторларын жасау интеграцияланған фотоника үшін өте маңызды. PZT жұқа қабықшаларын өңдеу үшін қажеттіжоғары күйдіру температурасы олардың заманауи қосымша металл-оксид-жартылай өткізгіш (CMOS) технологиясымен үйлесімділігіншектейді. Бұл жұмыста SiO2/Si субстраттарында 450 °C төмен жасыту температурасында жоғары сапалы PZT пленкалары дайындалды. PZT фильмдері артықшылықты (100) бағдар көрсетті және біркелкі және жарықтарсыз болды. Төмен температуралы PZT пленкаларына сүйене отырып, біз кейіннен Мах-Зехдер интерферометрінің (MZI) толқындық модуляторын жобалап, жасадық. Өлшенген жарты толқындық кернеу (Vπ) 1550 нм толқын ұзындығында 4,8 В болды, бұл оптикалық құрылғыларда әлеуетті пайдалануды көрсететін 66 pm/V сияқты құрылғыдағы EO коэффициентіне сәйкес келеді. Бұл жұмыста берілген нәтижелер PZT жұқа пленкаларын басқа күрделі жүйелермен біріктіру үшін үлкенперспективаны көрсетеді.