Abstract
Аннотация. В работе изучено влияние облучения ионами ксенона (230 МэВ) на оптическое и люминесцентные свойства кристаллов Y3Al5O12:Ce (YAG:Ce). Облучение приводит к формированию дефектов Френкеля (F, F+), антиузловых дефектов, а также к подавлению эмиссии ионов Ce³⁺ вследствие интенсификации безызлучательных процессов и перезарядки Ce3+ → Ce4+. Показано, что с ростом флюенса снижается интенсивность свечения Ce3+ из-за образования дефектов кристаллической решетки, таких как кислородные вакансии и антиструктурные нарушения. Также возможны изменения валентного состояния церия (Ce3+ Ce4+). Полученные результаты проливают свет на радиационно-индуцированные процессы в YAG:Ce, имеющие значение для его применения в радиационно-стойких сцинтилляционных детекторах.