Abstract
В данной работе представлены результаты теоретического исследования электронных свойств β-Ga₂O₃ с межузловыми атомами галлия (Ga) в различных состояниях заряда (+3, +2, +1, 0). Расчеты выполнены методом MNDO с использованием программы MOPAC. Проведен сравнительный анализ энергии связи, электронных свойств (HOMO, LUMO, потенциала ионизации), а также геометрии молекулы в оптимизированных структурах. Установлено, что заряд межузлового атома существенно влияет на электронные характеристики и стабильность молекулы. Результаты могут быть использованы для разработки новых материалов на основе β-Ga₂O₃.