Express Technology of Electrochemical Etching of Gallium Arsenide for the Formation of Massive Island Pores

Yana Suchikova, Сергій Ковачов, Zhakyp T. Karipbayev, Yaroslav Zhydachevskyy, Anastasiia Lysak, Anatoli I. Popov

2023

DOI 10.1109/khpiweek61412.2023.10312896

Достоверность данных 70 средняя

Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

This study presents an express technology for the electrochemical etching of Gallium Arsenide (GaAs) to form massive island pores. The n-type GaAs (Ill) single crystal plates are processed with a short pulse of strong current followed by a lower current density stage. The method forms a porous layer with almost wholly removing the GaAs surface single-crystal layer in just 3.5 minutes. The success of the technology relies on the application of a two-stage electrochemical treatment process, which in turn can find practical use in the formation of textured semiconductor layers on an industrial scale for photovoltaic applications. The article presents the EDX results and observations on pore-shape formations.