Аннотация
Composite based on silicon carbide was irradiated with krypton ions with an energy of 280 keV fluence 1∙1013–5∙1015 cm-2. Irradiation leads to irradiation growth of the crystal lattice, as well as amorphization of the near-surface layer.
Microstructure and phase state of a composite based on silicon carbide irradiated with krypton ions
2022
Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
Как считается эта оценка
Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.