Kr and Xe ion induced aggregation processes in LiF crystals during irradiation and thermal annealing

Alma K. Dauletbekova, Abdirash T. Akilbekov, Maxim Vladimirovich Zdorovets, Ainash Abdrakhmetova

2010

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1088/1757-899x/15/1/012031
Достоверность данных 85 высокая
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

The efficiency of F and F n center creation in LiF crystals irradiated with 147 MeV Kr and 195 MeV ions was studied via ion fluence and flux. In the case of Kr ions with flux of 8.9 × 10 9 ions/(cm 2 × s) saturation of F centers (∼ 10 19 cm −3 ) was observed at a fluence of 10 12 ions/cm 2 . Further irradiation decrease the F center concentration. In LiF irradiated with both ions an enhancement of electron color centers ( F and F n ) via flux was observed. In LiF crystals irradiated with Kr ions an enhancement of F n centers was observed after thermal annealing up to 600 K. The mechanisms of the processes are discussed.