Influence of impurities on the photoluminescence of modified InP crystals

1999

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1134/1.1259318
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

It is shown that a new emission band at 1.35 eV (77 K) is observed in the photoluminescence spectra of laser-modified InP crystals, irrespective of the type of impurity or its concentration in the initial crystal. It is established that the emergence of this band is a common property of the lattice defect state of the modified semiconductors.