Self-interstitials and Nanoclusters in Crystalline Silicon

2005

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1063/1.1994016
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

The results of study of EPR spectra and electrical properties of crystalline silicon implanted with hydrogen are presented. It is shown that various extended defects are formed in hydrogen‐contained irradiated crystalline silicon as a result of hydrogen‐enhanced diffusion of intrinsic defects and impurity atoms.