The Acceptor States of Hydrogen in Silicon

1989

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1002/pssb.2221560131
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Abstract Various vacancy complexes are considered in crystalline silicon containing from one to four hydrogen atoms and possessing acceptor levels in the band gap. Their geometrical and electronic structure are calculated by the discrete variational Xα‐method in the cluster approach. It is concluded that for the creation of such acceptor states in the band gap of silicon it is necessary to use some appropriate experimental conditions.