Nature of Hydrogen Bonding in Si‐A‐Center

1989

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1002/pssb.2221530224
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Abstract The configurations containing one or two hydrogen atoms in a A‐center are calculated by the MNDO and Xα‐DV methods. It is established that the hydrogen atom is bound with the oxygen of the A‐center forming a new paramagnetic center. The electrical activity of the A‐center is decreased by hydrogen passivation of the two silicon dangling bonds. However, the defect states are not removed from the band gap.