Investigation of Critical Points of Pore Formation Voltage on the Surface of Semiconductors of A3B5 Group

Ihor Bohdanov, Yana Suchikova, Сергій Ковачов, Valentina Peregudova, Alma K. Dauletbekova, Anatoli I. Popov

2021

DOI 10.1109/elit53502.2021.9501107

Достоверность данных 85 высокая

Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

In this work, critical values of pore-formation in electrochemical machining of semiconductors of A3B5 group are studied. On the example of indium phosphide, the indicators of the series of dependence of current density on the voltage of anodization are studied. The rates of current density increase in the regime of gradual rise of anodization voltage are determined. According to these indicators, the intervals are established, within which the active pore-formation occurs on the surface of semiconductor.