The thickness of the surface layer of porous silicon

V.М. Yurov, Evgeniy N. Eremin, С.А. Гученко, T. K. Zhanabergenov

2020

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)
DOI 10.1063/5.0029621
Достоверность данных 70 средняя
Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

For the first time, the thickness of the surface layer of porous silicon was determined. Monocrystalline silicon has a layer thickness of about 2 nm. This thickness can be experimentally determined using sliding x-rays in the mode of total internal reflection. The d(I)Si layer of atomically smooth single-crystal silicon is a nanostructure. The number of silicon particles in the monolayer is n=d(I)Si/a ≈ 4. It is shown that, starting from 80% porosity, silicon, by its properties of the d(II)Si layer, goes beyond the Gleiter nanostructure.