The thickness of the surface layer of porous silicon

V.М. Yurov, Evgeniy N. Eremin, С.А. Гученко, T. K. Zhanabergenov

2020

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)
DOI 10.1063/5.0029621
Деректер сенімділігі 70 орташа
Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

For the first time, the thickness of the surface layer of porous silicon was determined. Monocrystalline silicon has a layer thickness of about 2 nm. This thickness can be experimentally determined using sliding x-rays in the mode of total internal reflection. The d(I)Si layer of atomically smooth single-crystal silicon is a nanostructure. The number of silicon particles in the monolayer is n=d(I)Si/a ≈ 4. It is shown that, starting from 80% porosity, silicon, by its properties of the d(II)Si layer, goes beyond the Gleiter nanostructure.