Optical absorption studies of (Ga0.1In0.9)2Se3 thin film

I.P. Studenyak, Mladen Kranjcec, Viktor I. Studenyak, Vitalii Yu. Izai, Ryszard S. Romaniuk, Piotr A. Kisała, Gulbahar Yusupova, Aliya Aizhanova

2020

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)

DOI 10.1117/12.2580582

Достоверность данных 85 высокая

Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

Thermal evaporation technique was used to deposit (Ga0.1In0.9)2Se3 thin films. The optical transmission spectra of (Ga0.1In0.9)2Se3 thin film were studied in the temperature range 77-300 K. Temperature behaviour of the Urbach absorption edge as well as the temperature dependencies of the energy pseudogap and Urbach energy were investigated. The influence of different types of disordering on the optical properties of (Ga0.1In0.9)2Se3 thin film was discussed. Optical parameters of (Ga0.1In0.9)2Se3 thin film and single crystal were compared.