Optical absorption studies of (Ga0.1In0.9)2Se3 thin film

I.P. Studenyak, Mladen Kranjcec, Viktor I. Studenyak, Vitalii Yu. Izai, Ryszard S. Romaniuk, Piotr A. Kisała, Gulbahar Yusupova, Aliya Aizhanova

2020

Жабық қол жеткізу Метадеректер (CSL-JSON)

DOI 10.1117/12.2580582

Деректер сенімділігі 85 жоғары

Бұл баға қалай есептеледі

Ол жазбаның өзінің тексерілетін белгілерінен құралады: мақаланың DOI-і бар ма, оның деректерін қанша тәуелсіз дереккөз растады, міндетті өрістер толтырылған ба және соңғы растау қаншалықты жаңа. Дереккөздер арасындағы алшақтық пен идентификатордың болмауы бағаны төмендетеді. 80-нен бастап мән жазбаның қосымша тексерусіз жарияланғанын, 60-тан 79-ға дейін — оның сенімділігі төмен күйде жарияланғанын және қолмен тексеру ұсынылатынын білдіреді. Редактор қолмен тексерген жазбаны қайта есептеу 90-нан төмен түсірмейді. Бұл — мақаланың өзіне емес, ол туралы деректерімізге берілген баға.

Аңдатпа

Thermal evaporation technique was used to deposit (Ga0.1In0.9)2Se3 thin films. The optical transmission spectra of (Ga0.1In0.9)2Se3 thin film were studied in the temperature range 77-300 K. Temperature behaviour of the Urbach absorption edge as well as the temperature dependencies of the energy pseudogap and Urbach energy were investigated. The influence of different types of disordering on the optical properties of (Ga0.1In0.9)2Se3 thin film was discussed. Optical parameters of (Ga0.1In0.9)2Se3 thin film and single crystal were compared.