Optical parameters of (Ga0.4In0.6)2Se3 thin films

I.P. Studenyak, Mladen Kranjcec, М.М. Поп, Viktor I. Studenyak, Л. М. Сусліков, Olga Y. Pinaeva, Paweł Komada, Saule Luganskaya, Mergul Kozhamberdiyeva, Aisha Mussabekova

2020

Закрытый доступ Метаданные (CSL-JSON)

DOI 10.1117/12.2569782

Достоверность данных 70 средняя

Как считается эта оценка

Складывается из проверяемых признаков самой записи: есть ли у статьи DOI, сколько независимых источников подтвердили её данные, заполнены ли обязательные поля и насколько свежо последнее подтверждение. Снижают оценку расхождения между источниками и отсутствие идентификатора. Значение от 80 означает, что запись опубликована без дополнительной проверки; от 60 до 79 — что она опубликована с пониженной достоверностью и ручная проверка желательна. Запись, выверенную редактором вручную, пересчёт не опускает ниже 90. Это оценка наших данных о статье, а не оценка самой статьи.

Аннотация

(Ga0.4In0.6)2Se3 thin films were deposited by thermal evaporation technique. Refractive index and extinction coefficient dispersions were obtained from the spectral ellipsometry measurements. The dispersion of refractive index is described in the framework of Wemple-DiDomenico model. The energy pseudogap and Urbach energy were determined from the optical absorption spectrum of (Ga0.4In0.6)2Se3 thin film. Optical parameters of (Ga0.4In0.6)2Se3 thin film and single crystal were compared.